徐明升
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胡小波
,
徐现刚
人工晶体学报
研究了成核层生长条件对SiC衬底上GaN薄膜晶体质量和剩余应力的影响.采用AlGaN成核层并提高其生长温度,能明显降低SiC衬底上GaN外延层的缺陷密度和剩余应力.GaN薄膜的高分辨XRD摇摆曲线(0002)和(10-12)面的半峰宽达到161 arcsec和244 arcsec,拉曼频移达到567.7 cm-1.成核层的原子力显微镜结果显示GaN薄膜的晶体质量随着成核岛密度的降低而提高.
关键词:
SiC衬底
,
GaN薄膜
,
AlGaN成核层
,
应力
,
晶体质量
孙孪鸿
,
邹军
,
徐家跃
,
李文博
人工晶体学报
本文采用MOCVD法分别在a面和c面蓝宝石衬底上生长出7层InGaN/GaN多量子阱结构的GaN薄膜,采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱仪、吸收光谱等手段对样品进行表征.分析表明:a面蓝宝石衬底上生长的GaN薄膜(样品A)的FWHM为781.2 arcsec,c面蓝宝石衬底上生长的GaN薄膜(样品B)的FWHM为979.2 arcsec.样品A和样品B中存在的压应力分别为0.8523 GPa和1.2714 GPa,薄膜的能带宽度(理论值为3.4 eV)分别为3.38 eV和3.37 eV.以上数据表明a面蓝宝石衬底上生长出来GaN薄膜的结晶质量较好,光学性能更优异.
关键词:
蓝宝石
,
GaN薄膜
,
MOCVD
崔潆心
,
徐明升
,
徐现刚
,
胡小波
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150069
利用高分辨 X 射线衍射方法,分析了在4H-SiC(0001)面上采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长的GaN 薄膜的位错。采用对称面衍射和斜对称面衍射等方法研究了晶面倾转角、面内扭转角、晶粒尺寸和晶面弯曲半径等参数,通过排除仪器、晶粒尺寸及晶面弯曲对摇摆曲线半高宽的影响,从而获得 GaN 薄膜的螺位错密度和刃位错密度分别为4.62×107cm-2和5.20×109 cm-2,总位错密度为5.25×109 cm-2。
关键词:
氮化镓薄膜
,
高分辨X射线衍射
,
位错密度
